極氪 800v 技術的研發難點是什么？

極氪 800v 技術的研發難點主要集中在幾個方面。

首先是功率半導體的應用，SiC MOS 相對于硅基的 IGBT 在開關損耗和導通損耗等方面有優勢，但 SiC 半導體成本較高，技術成熟度和穩定性仍需提升，這對于大規模量產和成本控制是個挑戰。

其次是電池管理系統（BMS）的開發，要確保電池在 800V 高壓下的安全、穩定運行，對電池的監測、均衡和保護等功能的要求更高，需要更精確的算法和更強大的硬件支持。

再者，充電基礎設施的適配也是難點之一，雖然 800V 系統充電速度快，但依賴于專用充電樁，這需要大規模建設和普及專用充電設施，涉及到成本、場地和電網等多方面的問題。

另外，800V 系統對絕緣材料的要求也更高，要確保在高壓下不發生漏電、短路等故障，絕緣材料的研發和選用需要更嚴格的標準和測試。

還有，在驅動效率方面，雖然 800V 系統在某些工況下效率有提升，但在高速段與 400V 系統相差不大，如何進一步優化系統，提高全工況下的驅動效率也是研發的重點。

要解決這些難點，需要投入大量的研發資源，進行技術創新和優化，同時加強產業鏈上下游的合作，共同推動 800V 技術的成熟和應用。