最新一代低VCEsat晶體管功率損耗可減少80%
恩智浦半導體(NXP)近日發(fā)布了最新一代低VCEsat晶體管，與普通晶體管相比，其功率損耗可減少80%。恩智浦新型BISS(小信號擊穿)晶體管具有超低飽和電壓(1安培時低于60毫瓦)、高電路效率和更低的能源消耗，并能減少便攜式電池供電產(chǎn)品(如筆記本電腦、PDA和數(shù)碼相機)的發(fā)熱量。BISS雙極晶體管還可用于需要低等效導通電阻的工業(yè)及汽車領域。
第三代BISS晶體管的最大集電極電流為5.8安培，它使用網(wǎng)狀發(fā)射極技術降低RCEsat，從而能夠提供更高的電流容量以及超低的VCEsat。BISS晶體管可用于提高中等功率DC/DC轉換、負荷開關、高邊開關(high side switch)、電機驅動器、背光變極器應用和頻閃器閃光單元以及電池充電器等多種應用的效率。恩智浦目前大批量生產(chǎn)供應的BISS晶體管有120多種。
供貨情況
目前提供三種塑封低VCEsat BISS晶體管：SOT457(六腳)、SOT89(三線、配有確保良好傳熱性的集電極片)和SOT223(四線、配有更多散熱片)。
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