原來的產品將1個控制元件和4個功率元件共5枚芯片以平面排列的形式集成在封裝內。除端子以外的封裝外形尺寸為31mm×16mm×5mm。而此次則通過采用層積2個功率元件的新技術，像2枚芯片一樣對4個功率元件進行了封裝。然后再加上控制元件，將3枚芯片進行了面排列封裝，這樣，除端子以外的外形尺寸便減小到了17mm×7.5mm×1.8mm。
此次在功率元件方面采用了發熱量比原來的MOSFET低的IGBT。對于HID燈的發光物質，出于環保目的，目前出現了用氙氣代替水銀的趨勢。不過，采用氙氣時容易出現發光效率降低的問題，因此要想啟動車燈就需要更大的電流。而隨著電流的增大，功率元件就會產生大量熱量，散熱成為亟急解決的課題。此次通過在使用IGBT減少發熱的同時，為了使燈框本身直接起到散熱器的作用，使用了將燈框暴露在外的散熱性出色的封裝。
樣品價格為1000日元。將于2007年10月轉入月產1萬個的量產。計劃2010年秋季擴大到月產20萬個的規模。
